Vishay Siliconix - SIS456DN-T1-GE3

KEY Part #: K6405129

SIS456DN-T1-GE3 Preços (USD) [196638pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.18810
  • 3,000 pcs$0.17663

Número da peça:
SIS456DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - JFETs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIS456DN-T1-GE3 Atributos do produto

Número da peça : SIS456DN-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® 1212-8
Pacote / caso : PowerPAK® 1212-8

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