Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2309CX RFG

KEY Part #: K6418443

TSM2309CX RFG Preços (USD) [882111pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.04193

Número da peça:
TSM2309CX RFG
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM2309CX RFG Atributos do produto

Número da peça : TSM2309CX RFG
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 8.2nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 425pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.56W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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