Infineon Technologies - IRF7326D2TRPBF

KEY Part #: K6404132

[2117pcs Estoque]


    Número da peça:
    IRF7326D2TRPBF
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrição detalhada:
    MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Tiristores - SCRs ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF7326D2TRPBF Atributos do produto

    Número da peça : IRF7326D2TRPBF
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrição : MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
    Series : FETKY™
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : P-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.6A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 1.8A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 25V
    Recurso FET : Schottky Diode (Isolated)
    Dissipação de energia (máx.) : 2W (Ta)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO
    Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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