Infineon Technologies - IPU95R2K0P7AKMA1

KEY Part #: K6398773

IPU95R2K0P7AKMA1 Preços (USD) [67281pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.58116

Número da peça:
IPU95R2K0P7AKMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 950V 4A TO251.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - TRIACs, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPU95R2K0P7AKMA1 Atributos do produto

Número da peça : IPU95R2K0P7AKMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 950V 4A TO251
Series : CoolMOS™ P7
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 950V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 80µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 400V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 37W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO251-3
Pacote / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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