Infineon Technologies - IRF6722MTRPBF

KEY Part #: K6419749

IRF6722MTRPBF Preços (USD) [129139pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.28642

Número da peça:
IRF6722MTRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF6722MTRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRF6722MTRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 13A (Ta), 56A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.7 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DIRECTFET™ MP
Pacote / caso : DirectFET™ Isometric MP

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