IXFN180N25T Preços (USD) [4999pcs Estoque]
- 1 pcs$9.09921
- 10 pcs$8.26990
- 25 pcs$7.27649
- 100 pcs$6.68652
- 250 pcs$6.09654
- 500 pcs$5.70321
- Número da peça:
- IXFN180N25T
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFN180N25T electronic components. IXFN180N25T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN180N25T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFN180N25T Atributos do produto
Número da peça :
IXFN180N25T
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227
Series :
GigaMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
168A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.9 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
345nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
28000pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
900W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-227B
Pacote / caso :
SOT-227-4, miniBLOC
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