FQPF19N10 Preços (USD) [158011pcs Estoque]
- 1 pcs$0.23408
- 1,000 pcs$0.22723
- Número da peça:
- FQPF19N10
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FQPF19N10 electronic components. FQPF19N10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQPF19N10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQPF19N10 Atributos do produto
Número da peça :
FQPF19N10
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F
Series :
QFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
13.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
780pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
38W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220F
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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