IPAW60R190CEXKSA1 Preços (USD) [40484pcs Estoque]
- 1 pcs$0.96581
- 450 pcs$0.54251
- Número da peça:
- IPAW60R190CEXKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V TO220-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPAW60R190CEXKSA1 electronic components. IPAW60R190CEXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPAW60R190CEXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPAW60R190CEXKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPAW60R190CEXKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 600V TO220-3
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
26.7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 630µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
63nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1400pF @ 100V
Recurso FET :
Super Junction
Dissipação de energia (máx.) :
34W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220 Full Pack
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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