IXYS - IXTP3N60P

KEY Part #: K6418752

IXTP3N60P Preços (USD) [75908pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.59533
  • 50 pcs$0.59236

Número da peça:
IXTP3N60P
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 3A TO-220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Single, Transistores - Unijunction Programável and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP3N60P Atributos do produto

Número da peça : IXTP3N60P
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 600V 3A TO-220
Series : PolarHV™
Status da Peça : Last Time Buy
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.9 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 9.8nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 411pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 70W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3

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