Infineon Technologies - BSL373SNH6327XTSA1

KEY Part #: K6421015

BSL373SNH6327XTSA1 Preços (USD) [326107pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.11342
  • 3,000 pcs$0.10888

Número da peça:
BSL373SNH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSL373SNH6327XTSA1 Atributos do produto

Número da peça : BSL373SNH6327XTSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 230 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 218µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 9.3nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 265pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TSOP-6-6
Pacote / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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