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  5. 1N3595US

Microsemi Corporation - 1N3595US

KEY Part #: K6440612

1N3595US Preços (USD) [7090pcs Estoque]

  • 1 pcs$5.98471
  • 10 pcs$5.44176
  • 25 pcs$5.03368
  • 100 pcs$4.62550
  • 250 pcs$4.21738
  • 500 pcs$3.94528
Número da peça:
1N3595US
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 4A B-MELF. Rectifiers Switching Diode
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation 1N3595US electronic components. 1N3595US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N3595US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N3595US Atributos do produto

Número da peça : 1N3595US
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 4A B-MELF
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : -
Atual - Média Retificada (Io) : 4A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1V @ 200mA
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 3µs
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 1nA @ 125V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SQ-MELF, B
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : B, SQ-MELF
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 150°C

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