TPN2R703NL,L1Q Preços (USD) [210728pcs Estoque]
- 1 pcs$0.18434
- 5,000 pcs$0.18342
- Número da peça:
- TPN2R703NL,L1Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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TPN2R703NL,L1Q Atributos do produto
Número da peça :
TPN2R703NL,L1Q
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON
Series :
U-MOSVIII-H
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
45A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.7 mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 300µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
21nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2100pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
700mW (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
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