Vishay Siliconix - SI7872DP-T1-GE3

KEY Part #: K6524073

SI7872DP-T1-GE3 Preços (USD) [3953pcs Estoque]

  • 3,000 pcs$0.42841

Número da peça:
SI7872DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SI7872DP-T1-GE3 electronic components. SI7872DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7872DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7872DP-T1-GE3 Atributos do produto

Número da peça : SI7872DP-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
Series : LITTLE FOOT®
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
Potência - Max : 1.4W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : PowerPAK® SO-8 Dual
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® SO-8 Dual

Você também pode estar interessado em