[2930pcs Estoque]
- Número da peça:
- 2SK4125-1EX
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 17A TO3P.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor 2SK4125-1EX electronic components. 2SK4125-1EX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SK4125-1EX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
2SK4125-1EX Atributos do produto
Número da peça :
2SK4125-1EX
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 17A TO3P
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
17A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
610 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
46nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1200pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TA)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-3P-3L
Pacote / caso :
TO-3P-3, SC-65-3
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